发明名称 |
Verfahren und Anordnung zur Bewertung der Unterätzung von tiefen Grabenstrukturen in SOI-Scheiben |
摘要 |
Es wird ein Verfahren angegeben, das die quantitative Bewertung der Unterätzung von tiefen Grabenstrukturen in SOI-Scheiben durch eine elektrische oder optische Messung ermöglicht. Dazu wird eine spezielle Kontrollstruktur mit definierter Stegbreite verwendet, die routinemäßig im Laufe des Fertigungsprozesses ausgemessen werden kann. Die Kontrollstruktur besteht aus jeweils zwei benachbarten Gräben, die durch einen Steg mit definierter Stegbreite getrennt sind. Durch Unterätzung der benachbarten Gräben können sich ab einer bestimmten minimalen Stegbreite die Bereiche der Unterätzung der benachbarten Gräben unterschneiden, was dazu führt, dass der Steg vom Boden losgelöst und damit beweglich ist. Die Beweglichkeit wird durch thermische Auslenkung des Steges vorzugsweise elektrisch nachgewiesen. Die Anordnung mehrerer Kontrollstrukturen mit verschiedenen Stegbreiten erlaubt die Bestimmung eines quantitativen Maßes der Unterätzung.
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申请公布号 |
DE102006002753(A1) |
申请公布日期 |
2007.09.20 |
申请号 |
DE200610002753 |
申请日期 |
2006.01.20 |
申请人 |
X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG |
发明人 |
FREYWALD, KARLHEINZ;HOELZER, GISBERT |
分类号 |
H01L21/66;H01L21/764;H01L21/84;H01L23/544 |
主分类号 |
H01L21/66 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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