| 发明名称 | 半导体光电组件及其切割方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体光电组件的切割方法，其是包括以下的步骤：准备半导体光电组件芯片：该半导体光电组件芯片是包含有一基板，于基板表面形成有一外延硅层；镭射划线：以镭射于半导体光电组件芯片表面划设导引沟槽；钻石刀切割：以钻石刀于沟槽中进行切割；形成半导体光电组件晶粒：将半导体光电组件芯片沿已划设的沟槽劈裂，形成半导体光电组件晶粒。本发明的半导体光电组件是具有一基板与一外延硅层，外延硅层是形成于基板的一表面，基板的侧面设有粗糙表面，该粗糙表面是为于半导体光电组件芯片表面进行镭射划线而产生导引沟槽，再于导引沟槽内进行钻石刀切割所形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101221998A | 申请公布日期 | 2008.07.16 |
| 申请号 | CN200710000100.4 | 申请日期 | 2007.01.09 |
| 申请人 | 广镓光电股份有限公司 | 发明人 | 程志青;蔡棋 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01);H01L31/0236(2006.01);H01L21/78(2006.01);H01L21/304(2006.01);H01L21/301(2006.01) | 主分类号 | H01L31/18(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种半导体光电组件的切割方法，其是包括以下的步骤：准备半导体光电组件芯片：该半导体光电组件芯片是包含有一基板，于基板的一表面形成有一外延硅层；镭射划线：以镭射于半导体光电组件芯片表面划设导引沟槽；钻石刀切割：以钻石刀于沟槽中进行切割；形成半导体光电组件晶粒：将半导体光电组件芯片沿已划设的沟槽分离，形成半导体光电组件晶粒。 | ||
| 地址 | 台湾省台中市 | ||