发明名称 Abtastverstärker, Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zum Betreiben eines Abtastverstärkers
摘要 Ein Abtastverstärker (140) umfasst einen Stromverstärker (210), der dazu ausgebildet ist, ein erstes und ein zweites Spannungssignal (V1, V2) in Reaktion auf ein erstes Steuersignal (CON1) auszugeben, wobei das erste und das zweite Spannungssignal, basierend auf einer detektierten Stromdifferenz, zwischen einem Paar von Eingabe-/Ausgabeleitungen (DIO, DIOB) ausgegeben werden, einen Spannungsverstärker (220), der dazu ausgebildet ist, ein drittes und ein viertes Spannungssignal (V3, V4), basierend auf einer detektierten Spannungsdifferenz, zwischen dem ersten und dem zweiten Spannungsignal zu erzeugen, wobei das dritte und das vierte Spannungssignal in Reaktion auf ein zweites Steuersignal (CON2) erzeugt werden, einen ersten Zwischenspeicherschaltkreis (230), der dazu ausgebildet ist, das dritte und das vierte Spannungssignal zwischenzuspeichern und ein erstes Ausgabesignal (Vout1) in Reaktion auf das zweite Steuersignal auszugeben, einen zweiten Zwischenspeicherschaltkreis (240), der dazu ausgebildet ist, das erste und das zweite Spannungssignal zwischenzuspeichern und ein ein zweites Ausgabesignal (Vout2) in Reaktion auf ein drittes Steuersignal (CON3) auszugeben, und einen Ausgabeschaltkreis (250), der dazu ausgebildet ist, eine logische Operation mit dem ersten Ausgabesignal und dem zweiten Ausgabesignal auszuführen und ein Ergebnis der logischen Operation als resultierendes Signal (Vout) auszugeben.
申请公布号 DE102008005864(A1) 申请公布日期 2008.09.11
申请号 DE200810005864 申请日期 2008.01.15
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 SEO, SEONG YOUNG
分类号 G11C7/06 主分类号 G11C7/06
代理机构 代理人
主权项
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