| 发明名称 | 辐射探测器及辐射探测装置 | ||
| 摘要 | 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性，从而改善能量分辨率。 | ||
| 申请公布号 | CN103913763B | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201310004796.3 | 申请日期 | 2013.01.07 |
| 申请人 | 同方威视技术股份有限公司;清华大学 | 发明人 | 李玉兰;张岚;李元景;刘以农;牛莉博;傅楗强;江灏;张韡;刘延青;李军 |
| 分类号 | G01T1/36(2006.01)I | 主分类号 | G01T1/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蔡纯 |
| 主权项 | 一种辐射探测器，包括：用于感测辐射的半导体晶体，所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面；位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极；位于半导体晶体的底部表面的第二阳极；以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区双清路同方大厦A座2层 | ||