Verfahren zum Erzeugen des Schichtaufbaus eines Halbleiterbauelements

摘要

Es werden prozesstechnisch einfache Maßnahmen zur Nivellierung der Oberfläche des Schichtaufbaus eines Halbleiterbauelements während der Herstellung des Schichtaufbaus vorgeschlagen, die auch zum Erzeugen einer Topographie mit definierten Niveauunterschieden in der Oberfläche des Schichtaufbaus genutzt werden können. Das entsprechende Verfahren zum Erzeugen des Schichtaufbaus eines Halbleiterbauelements geht von einem Grundsubstrat aus. Außerdem soll der Schichtaufbau mindestens eine Siliziumschicht (1) umfassen. Auf dieser Siliziumschicht (1) wird mindestens eine erste Schicht (2) aus einem anderen Material als Silizium erzeugt und strukturiert, wobei das Schichtmaterial bereichsweise vollständig entfernt wird und die darunterliegende Siliziumschicht (1) im Bereich der so erzeugten mindestens einen Öffnung (3) freigelegt wird. Über der strukturierten ersten Schicht (2) soll mindestens eine Deckschicht (6) aufgebracht werden, die sich zumindest über eine Öffnung (3) in der ersten Schicht (2) erstreckt. Erfindungsgemäß wird nach dem Strukturieren der mindestens einen ersten Schicht (2) und vor dem Erzeugen der Deckschicht (6) ein Epitaxieprozess durchgeführt, bei dem selektiv im Bereich der mindestens einen Öffnung (3) in der ersten Schicht (2) Silizium (14; 24) auf der freigelegten Oberfläche der Siliziumschicht (1) epitaktisch aufgewachsen wird und dadurch eine definierte Topographie für das Erzeugen weiterer Schichten des Schichtaufbaus geschaffen wird.