发明名称 一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构及其制备方法
摘要 本发明公开了一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构及其制备方法,其结构为采用基于石墨烯的水氧阻隔薄膜与聚合物基板构成柔性基底;将所述柔性基底,位于电极/N型半导体层/有源层/P型半导体层,或电极/P型半导体层/有源层/N型半导体层之下,组成完整的器件。其制备方法为将石墨烯薄膜或石墨烯复合薄膜转移至聚合物基板,其过程采用鼓泡法,腐蚀基底法,热释放法的任意一种,转移过程为卷对卷转移或小尺寸手工转移。本发明利用双层及以上石墨烯的疏水、防水的特性,提高了柔性聚合物基板的水氧阻隔效果,可以普遍应用于各种结构的光电器件,并进一步提高器件的光电效率。
申请公布号 CN106206982A 申请公布日期 2016.12.07
申请号 CN201610652980.2 申请日期 2016.08.11
申请人 上海大学 发明人 杨连乔;魏斌;陈章福;张建华
分类号 H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I 主分类号 H01L51/52(2006.01)I
代理机构 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人 陆聪明
主权项 一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构,其特征在于:采用基于石墨烯的水氧阻隔薄膜与聚合物基板构成柔性基底。
地址 200444 上海市宝山区上大路99号
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