半导体存储装置

摘要

一种半导体存储装置，抑制非选择列的充放电电流，并确保低压动作下的读写动作裕度。在具有与多个字线(WLB_k、WLB_K+1)和多个位线对(D₁、DB₁、D₁₊₁、DB₁₊₁)的交点对应地设置的多个存储单元205的半导体存储装置中，设置分别与位线对应地设置的列选择线(S₁、S₁₊₁)，各存储单元205上设置逆变器(INV3)，其电源从列选择线提供，字线连接到输入，输出连接到存取晶体管的栅极，仅导通字线和列选择线同时被选择的单元的存取晶体管。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具有：多个字线；多个位线对，分别由第一位线、第二位线构成；多个存储单元，与上述多个字线和上述多个位线对的各交点对应地设置成矩阵状；以及多个列选择线，与上述多个位线对分别对应地设置，上述多个存储单元分别具有：第一逆变器，以第一节点为输入，以第二节点为输出；第二逆变器，以上述第二节点为输入，以上述第一节点为输出；第一存取晶体管，连接在上述第一位线和上述第一节点之间；第二存取晶体管，连接在上述第二位线和上述第二节点之间；第一个第一导电型晶体管，连接在上述第一存取晶体管、第二存取晶体管的栅极和上述列选择线之间，栅极连接到上述字线；以及第一个第二导电型晶体管，连接在上述第一存取晶体管、第二存取晶体管的栅极和固定电位之间，栅极连接到上述字线。