Halbleiterbauelement und Verfahren, das eine Opferschicht verwendet

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren aufweist: • Bilden einer ersten leitfähigen Schicht (120) über einem Substrat (100), wobei die erste leitfähige Schicht (120) eine obere Oberfläche (122) und Seitenwände (121) aufweist, wobei entlang der Seitenwände (121) der ersten leitfähigen Schicht (120) ein Überhang (127) aus einem nichtleitfähigen Material (125) bereitgestellt wird; • Bilden einer isolierenden Schicht (130) auf der ersten leitfähigen Schicht (120); • Bilden einer Opferschicht (140) über der isolierenden Schicht (130) und dem Überhang (127) der ersten leitfähigen Schicht (120); • teilweises Entfernen der Opferschicht (140), wobei ein Rest der Opferschicht (140) unter dem Überhang (127) verbleibt; und • Bilden einer zweiten leitfähigen Schicht (150) auf der isolierenden Schicht (130).