电介质薄膜的成膜方法

摘要

本发明提供能够形成具有（100）/（001）取向的PZT薄膜的电介质薄膜的成膜方法。使PbO气体附着在衬底的表面形成种子层后，一边在已抽真空的真空槽内对衬底进行加热一边对锆钛酸铅（PZT）靶施加电压进行溅射，在衬底的表面上形成PZT薄膜。由种子层提供Pb和O，得到在PZT薄膜上不发生Pb缺损的、具有（001）/（100）取向的PZT膜。

主权项

一种电介质薄膜的成膜方法，具有在已抽真空的真空槽内一边加热衬底一边对锆钛酸铅（PZT）靶施加电压进行溅射，在所述衬底的表面形成PZT薄膜的成膜工序，在所述成膜工序之前具有使PbO气体附着于所述衬底的表面以形成PbO的种子层的种子层形成工序，在所述种子层形成工序中，在所述真空槽内对化学结构中含有Pb和O的释放源进行加热，使得从所述释放源放出PbO气体，在所述成膜工序中，使溅射出的PZT颗粒射向所述衬底的表面，在所述种子层上形成所述PZT薄膜，其特征在于，作为所述释放源，采用在从所述靶射出的PZT颗粒附着的位置上配置的第一防附着板上附着所述靶的溅射形成的PZT颗粒而由此形成的所述PZT薄膜，在所述种子层形成工序中，加热所述第一防附着板，使得从所述释放源放出所述PbO气体，在所述衬底的表面形成所述种子层。