| 发明名称 | 发光器件 | ||
| 摘要 | 根据本发明的发光器件具有：GaN衬底(1)；GaN衬底(1)的第一主表面侧上的n型Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N层(3)；比n型Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N层(3)更远离GaN衬底(1)设置的p型Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N层(5)；以及位于n型Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N层(3)和p型Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N层(5)之间的多量子阱(MQW)(4)。在该发光器件中，p型Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1－x</SUB>N层(5)侧被向下安装，并且光从第二主表面(1a)发射，其中第二主表面是与GaN衬底(1)的第一主表面相对的主表面。GaN衬底(1)的第二主表面(1a)包括其上形成凹腔和凸出的区域。此外，该发光器件包括在GaN衬底(1)的第二主表面(1a)上形成的n电极(11)和覆盖n电极(11)的侧壁而形成的保护膜(30)。 | ||
| 申请公布号 | CN1881628A | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN200610009238.6 | 申请日期 | 2006.02.15 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 永井阳一;片山浩二;北林弘之 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种发光器件，包括：氮化物半导体衬底；在所述氮化物半导体衬底的第一主表面侧上的n型氮化物半导体层；与所述n型氮化物半导体层相比，远离所述氮化物半导体衬底设置的p型氮化物半导体层；以及位于所述n型氮化物半导体层和所述p型氮化物半导体层之间的发光层，所述发光器件，其中：所述p型氮化物半导体层侧被向下安装，并且光从第二主表面发射，第二主表面是与所述氮化物半导体衬底的所述第一主表面相对的主表面；所述氮化物半导体衬底的所述第二主表面包括形成有凹腔和凸部的区域；在所述氮化物半导体衬底的所述第二主表面上形成电极；以及形成覆盖所述电极的侧壁的保护膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||