具有低阻抗欧姆接触的ⅢA族氮化物半导体器件

摘要

本发明利用P型氮化镓基层顶部形成的高铟含量岛状氮化镓铟(In_xGa_1-xN islands；0＜x≤1)，以降低电极与P型氮化镓基层间的接触电阻。这些岛状氮化镓铟系用做电流流过的通道，可大大降低电极与P型氮化镓基层间的接触电阻，以提高组件性能。前述岛状氮化镓铟结构可应用于需要良好P型欧姆接触的所有第IIIA氮化物基的电子组件及光电组件，以提高组件性能。

主权项

1.一种氮化镓基半导体器件，包括：P型氮化镓基层；于所述P型氮化镓基层上直接形成的多个压应变的岛状InxGa1-xN，通过利用该岛状InxGa1-xN的内部极化效应来减小接触电阻，其中0＜x≤1；及电极，形成于所述压应变的岛状InxGa1-xN上。