| 发明名称 | 单晶生长装置 | ||
| 摘要 | 实施例包括：腔室；坩埚，设置在该腔室中并且容纳熔融液体，该熔融液体是用于单晶生长的原料；坩锅屏，布置在该坩埚的上端；以及用于提高或降低该坩埚屏的移动单元，其中该坩埚屏和第一上部绝热单元被升高以控制行程距离，从而防止由行程距离的缩短引起的提离过程的不可能性以及在单晶中产生裂纹。 | ||
| 申请公布号 | CN105980614A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201480066269.8 | 申请日期 | 2014.11.19 |
| 申请人 | LG矽得荣株式会社 | 发明人 | 方仁植;金喆焕 |
| 分类号 | C30B15/24(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 金红莲 |
| 主权项 | 一种单晶生长装置，包括：腔室；坩埚，设置在该腔室中并且容纳作为用于单晶生长的原料的熔融液体；坩锅屏，布置在该坩埚的顶部上；以及传送单元，用于提高或降低该坩埚屏。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||