发明名称 |
具有译码器及局部字符线驱动器的三维与非门存储器 |
摘要 |
本发明公开了一种存储器。存储器包括由多个堆叠、多个导电垂直结构、多个存储元件、多个导线及一控制电路。所述堆叠由多个导电条带所组成。所述导电垂直结构正交于所述堆叠。存储元件位于所述堆叠与些导电垂直结构的侧表面的交会点的邻接区域。所述堆叠包括一底层、多个中间层及一顶层。多个第一导线电性耦接于顶层。多个第二导线及多个第三导线电性耦接于所述中间层。控制电路用于使所述第一导线选择所述堆叠的至少一第一特定堆叠、使所述第二导线选择该至少一第一特定堆叠、并使所述第三导线选择所述中间层的至少一层。 |
申请公布号 |
CN106158021A |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201510134558.3 |
申请日期 |
2015.03.26 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
陈士弘 |
分类号 |
G11C16/08(2006.01)I;G11C16/24(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/08(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种存储装置,包括:多个导电条带(conductive strip)所组成的多个堆叠(stack),所述导电条带交错于多个绝缘条带(insulating strip),所述堆叠包括所述导电条带的一底层(bottom layer)、所述导电条带的多个中间层(intermediate layer)、及所述导电条带的一顶层(top layer);多个半导体垂直体结构(semiconductive vertical structure),与所述堆叠正交;多个存储元件(memory element),位于所述堆叠与所述半导体垂直结构的侧表面的多个交会点的多个邻接区域;多个第一导线,用以控制位于所述导电条带的该顶层的多个晶体管开关(transistor switch);多个第二导线,用以控制多个局部字符线驱动器开关(local word line driver switch);以及多个第三导线,包括多个全局字符线(global word line),所述全局字符线通过所述局部字符线驱动器开关电性耦接至所述中间层。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |