| 发明名称 | 使用时分多路复用工序和RF偏压调制的高外观SOI结构的无切口刻蚀 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种方法和设备，通过调制施加到阴极的RF偏压交替淀积/刻蚀工序减小或消除等离子体刻蚀时在衬底上的SOI结构的生成中观察到的切口。在至少两个频率之间分离地或在交替淀积/刻蚀工序期间连续地完成到阴极的偏压的调制。 | ||
| 申请公布号 | CN1883036A | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN200480031235.1 | 申请日期 | 2004.10.19 |
| 申请人 | 优利讯美国有限公司 | 发明人 | 苏尼尔·斯里尼瓦桑;大卫·J·约翰逊;拉塞尔·韦斯特曼 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01);H01J37/32(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种用于在时分复用工序过程中，在衬底中刻蚀特征的方法，包括以下步骤：将衬底放置在真空室中；使衬底经历时分复用工序；在时分复用工序的至少一个步骤中产生等离子体；施加调制的偏压到衬底；以及从真空室除去衬底。 | ||
| 地址 | 美国佛罗里达州 | ||