| 摘要 |
<p>Bei dem Verfahren zur Herstellung eines Schichtsystems auf einem dielektrischen Substrat (12), bei dem mit einem Beschichtungsschritt (110) eine metallische Schicht (14) auf das Substrat (12) aufgebracht und darauf folgend mit einem weiteren Beschichtungsschritt (140) eine weitere Schicht (24) mit vorgegebener Schichtdicke aufgebracht wird, wobei die metallische Schicht (14) einen Flächenwiderstand > 10 MOhm sowie einen mittleren Reflektionsgrad > 50% aufweist, ist vorgesehen, dass die weitere Schicht (24), wenn sie bei gleicher Schichtdicke mit dem weiteren Beschichtungsschritt (140) auf das Substrat (12) aufgebracht würde, einen Flächenwiderstand < 1 MOhm aufweisen würde, und das Schichtsystem (10) aus der metallischen Schicht (14) und der weiteren Schicht (24) einen Flächenwiderstand > 10 MOhm aufweist. Ferner betrifft die Erfindung ein Schichtsystem auf einem dielektrischen Substrat (12), bei dem mit einem Beschichtungsschritt (110) eine metallische Schicht (14) auf das Substrat (12) aufgebracht und darauf folgend mit einem weiteren Beschichtungsschritt (140) eine weitere Schicht (24) mit vorgegebener Schichtdicke aufgebracht ist, wobei die metallische Schicht (14) einen Flächenwiderstand > 10MOhm sowie einen mittleren Reflektionsgrad > 50% aufweist, bei dem vorgesehen ist, dass die weitere Schicht (24), wenn sie bei gleicher Schichtdicke mit dem weiteren Beschichtungsschritt (140) auf das Substrat (12) aufgebracht worden wäre, einen Flächenwiderstand < 1 MOhm ...</p> |
