发明名称 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
摘要 본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 복수의 반도체층;으로서, 서로 대향하는 2개의 긴 에지들(long edges)과 서로 대향하는 2개의 짧은 에지들(short edges)을 가지는 복수의 반도체층; 제2 반도체층 및 활성층이 제거되어 노출된 제1 반도체층 위에서 일 측 긴 에지로부터 타 측 긴 에지를 향하여 뻗는 제1 가지 전극과, 제2 반도체층 위에서 타 측 긴 에지로부터 일 측 긴 에지를 향하여 뻗은 제2 가지 전극 중 적어도 하나; 복수의 반도체층과 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극을 덮도록 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층; 제1 반도체층과 전기적으로 연통하도록 일 측 긴 에지 측에 구비된 제1 전극; 그리고 제2 반도체층과 전기적으로 연통하도록 타 측 긴 에지 측에 구비된 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
申请公布号 KR101628239(B1) 申请公布日期 2016.06.09
申请号 KR20140115581 申请日期 2014.09.01
申请人 주식회사 세미콘라이트 发明人 전수근
分类号 H01L33/10;H01L33/36 主分类号 H01L33/10
代理机构 代理人
主权项
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