发明名称 一种面向Z箍缩的壳层等离子体柱产生方法及其装置
摘要 本发明公开了一种面向Z箍缩的壳层等离子体柱产生方法及其装置。包括:真空等离子体靶室、脉冲电流发生器、环形激光光斑产生装置,以及数字延迟发生器;真空等离子体靶室内安装负载高压极以及与负载高压极相配合的负载地电极,负载地电极上开设开孔,真空等离子体靶室壁上设置透明窗口,负载高压极、负载地电极的开孔、以及透明窗口同轴布置;脉冲电流发生器与环形激光光斑产生装置的输入端均与数字延迟发生器相连;脉冲电流发生器的输出端与负载高压极相连,脉环形激光光斑产生装置的出光口与透明窗口同轴布置。本发明避免冷态固态材料形成壳层等离子体柱过程中产生的先导等离子体等不均匀结构,同时负载结构更加简单,安装便利、参数调节方便。
申请公布号 CN103874312B 申请公布日期 2016.06.29
申请号 CN201410111627.4 申请日期 2014.03.24
申请人 西安交通大学 发明人 吴坚;李兴文;魏文赋;贾申利;杨泽锋
分类号 H05H1/24(2006.01)I 主分类号 H05H1/24(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 陆万寿
主权项 一种面向Z箍缩的壳层等离子体柱产生装置,其特征在于,包括:真空等离子体靶室、脉冲电流发生器(5)、环形激光光斑产生装置,以及数字延迟发生器(8);所述真空等离子体靶室包括真空腔室(1),真空腔室(1)的底部安装有真空机组(2);所述环形激光光斑产生装置包括与数字延迟发生器(8)相连接的脉冲激光器(6),脉冲激光器(6)的出光口处安装有将圆形光斑转变成环形光斑的光学器件(7);其中,真空等离子体靶室内安装有用于放置金属靶材料的负载高压极(3)以及与负载高压极(3)相配合的负载地电极(4),负载地电极(4)上开设有开孔,真空等离子体靶室壁上设置有透明窗口,且负载高压极(3)、负载地电极(4)的开孔、以及透明窗口同轴布置;脉冲电流发生器(5)与环形激光光斑产生装置安装于真空等离子体靶室的外部,且脉冲电流发生器(5)与环形激光光斑产生装置的输入端均与数字延迟发生器(8)相连接;脉冲电流发生器(5)的输出端与负载高压极(3)相连接,脉环形激光光斑产生装置的出光口与透明窗口同轴布置。
地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号