发明名称 |
场效应叉指背接触光伏器件及其形成方法 |
摘要 |
本发明涉及场效应叉指背接触光伏器件及其形成方法。一种形成光伏器件的方法,包括:在衬底上对电介质层进行构图,以形成在形状之间具有本地间隔并且在形状组之间具有远程间隔的构图的电介质,以及在所述构图的电介质之上沉积掺杂的外延层,使得在所述外延层的与所述衬底接触的部分中发生选择性的晶体生长并且在所述外延层的与所述构图的电介质接触的部分中发生非晶体生长。在所述构图的电介质的所述本地间隔之上形成第一金属接触,并且在所述远程间隔之上形成第二金属接触。使用所述第一和第二金属接触作为蚀刻掩膜蚀刻所述非晶体生长的暴露部分,从而形成交替的叉指发射极和背接触叠层。 |
申请公布号 |
CN103872185B |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201310629464.4 |
申请日期 |
2013.11.29 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
K·E·福格尔;B·赫克玛特绍塔巴里;D·K·萨丹那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪 |
分类号 |
H01L31/20(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
贺月娇;于静 |
主权项 |
一种形成光伏器件的方法,包括:在衬底上对电介质层进行构图,以形成在形状之间具有本地间隔并且在形状组之间具有远程间隔的构图的电介质;在所述构图的电介质之上沉积掺杂的外延层,使得在所述外延层的与所述衬底接触的部分中发生选择性的晶体生长并且在所述外延层的与所述构图的电介质接触的部分中发生非晶体生长;在所述构图的电介质的所述本地间隔之上形成第一金属接触;在所述远程间隔之上形成第二金属接触;以及使用所述第一和第二金属接触作为蚀刻掩膜蚀刻所述非晶体生长的暴露部分,从而形成交替的叉指发射极和背接触叠层。 |
地址 |
美国纽约 |