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发明名称
半導体装置
摘要
パッシベーション膜(PL)に接して形成された第1の感光性有機絶縁膜(PO1)が、最上層導電層(TCL)により生じたパッシベーション膜PL表面の段部(TRE)の全周上を覆い、かつ全周において段部(TRE)よりも外周側に位置する外周端縁(ED1)を有している。これにより、第1の感光性有機絶縁膜(PO1)がパッシベーション膜(PL)から剥がれることを抑制することができる。
申请公布号
JPWO2014013581(A1)
申请公布日期
2016.06.30
申请号
JP20140525613
申请日期
2012.07.19
申请人
ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人
冨田 和朗
分类号
H01L21/3205;H01L21/312;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/522
主分类号
H01L21/3205
代理机构
代理人
主权项
地址
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