発光デバイスのサイドインターコネクト

摘要

本発明の実施形態は、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含んだ半導体構造を含む。メタルｎコンタクトがｎ型領域に接続される。メタルｐコンタクトがｐ型領域と直に接触する。インターコネクトが、ｎコンタクト及びｐコンタクトのうちの一方に電気的に接続される。このインターコネクトは、上記半導体構造に隣り合って配置される。