| 摘要 |
기판 상에, 게이트 전극과, 반도체층과, 상기 게이트 전극과, 그 반도체층의 사이에 마련된, 유기 고분자 화합물로 형성된 게이트 절연층과, 그 반도체층에 접하여 마련되고, 그 반도체층을 통하여 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터로서, 상기 게이트 절연층 중, Mg, Ca, Ba, Al, Sn, Pb, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zn 및 Ag로부터 선택되는 금속의 함유량이 총량으로 10ppb~1ppm이거나, 또는 할로젠 이온, 황산 이온, 질산 이온 및 인산 이온으로부터 선택되는 비금속 이온성 물질의 함유량이 총량으로 1ppm~100ppm인, 박막 트랜지스터. |
