| 发明名称 | 一种发光二极管外延片及其生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述浅阱层和所述多量子阱层之间的复合插入层，所述复合插入层包括依次层叠在所述浅阱层上的非掺杂GaN层、InN层、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层，0.1＜x＜0.4。本发明能够有效阻止底部形成的位错延伸至有源区，减少电子溢流，极大地提高了器件的发光效率，使发光更均匀。 | ||
| 申请公布号 | CN106159048A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201610597450.2 | 申请日期 | 2016.07.25 |
| 申请人 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发明人 | 肖云飞;吕蒙普;胡加辉 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人 | 徐立 |
| 主权项 | 一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述浅阱层和所述多量子阱层之间的复合插入层，所述复合插入层包括依次层叠在所述浅阱层上的非掺杂GaN层、InN层、Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层，0.1＜x＜0.4。 | ||
| 地址 | 322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇徐丰村（浙江四达工具有限公司内） | ||