制作高紫外－临界电位电可擦除可编程只读取存储器的方法

摘要

制作高紫外－临界电位电可擦除可编程只读存储器的方法，包含，形成隧穿氧化层于一底材上以及形成第一复晶硅层于上述隧穿氧化层之上，其中第一复晶硅层的制作包含采用离子布植法将硼离子植入而成；之后蚀刻第一复晶硅层形成浮置闸结构以及形成汲极与源极区域于浮置闸结构侧的底材中，随之形成一绝缘层于浮置闸极之上做为闸极间介电层，闸极间介电层的材质包含ONO或NO；在高临界电位区域制作高临界电位氧化层，形成第二复晶硅层同时做为低临界电位组件的控制闸极以及高临界电位HV组件的闸极；利用微影程序制作该低临界电位LV组件控制闸极以及HV组件的闸极图案以及利用斜角植入离子进入HV组件区域以制作轻微掺杂汲极区域LDD。

主权项

1.一种制作高紫外-临界电位电可擦除可编程只读存储器的方法，其特征包含：形成隧穿氧化层于一底材上；形成第一复晶硅层于上述隧穿氧化层之上；蚀刻该第一复晶硅层形成浮置闸结构；形成汲极与源极区域于该浮置闸结构侧的底材中；形成一绝缘层于该浮置闸极(floating gate)之上，做为闸极间介电层；于高临界电位(HV)区域制作高临界电位氧化层(HVOX)；形成第二复晶硅层同时做为电可擦除可编程只读存储器组件(EEPROM Cell)的控制闸极(control gate)，选择闸极(select-gate)以及外围(periphery)组件的闸极；利用微影程序制作该电可擦除可编程只读存储器组件(EEPROMCell)的控制闸极(control gate)，选择闸极(select-gate)以及外围(periphery)组件闸极图案；利用斜角植入离子进入该高临界电位(HV)组件区域以制作轻微掺杂汲极区域(lightly doped drain region；LDD)。