| 发明名称 | 外延生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于形成高质量外延生长半导体晶片的外延生长方法。该方法包括：在单晶晶片上形成具有纳米尺寸的点的掩模层；通过蚀刻该掩模层和该晶片的表面在该单晶晶片的表面上形成具有纳米尺寸的孔的多孔层；利用外延生长工艺在该多孔层上形成外延材料层；以及退火该外延材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN100418191C | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200510131615.9 | 申请日期 | 2005.12.15 |
| 申请人 | 三星康宁精密琉璃株式会社 | 发明人 | 朴性秀 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);C30B25/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;杨静 |
| 主权项 | 1. 一种外延生长方法，包括：在单晶晶片上形成具有纳米尺寸的点的掩模层；通过蚀刻该掩模层和该晶片的表面在该单晶晶片的表面上形成具有纳米尺寸的孔的多孔层；利用外延生长工艺在该多孔层上形成外延材料层；以及退火该外延材料层。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道龟尾市 | ||