发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件(50)具备:形成有外部连接端子(12)的基板;载置在基板(2)的第一面(2a)上的控制器(4);配置在控制器(4)的一侧的树脂制的第一间隔件(6a);隔着控制器(4)而载置在第一间隔件的相反侧的树脂制的第二间隔件(6b);跨第一间隔件和第二间隔件而载置在第一间隔件和第二间隔件之上的存储芯片(8);对由存储芯片、第一间隔件、第二间隔件和基板包围的空间(18)以及存储芯片的周围进行密封的树脂模制部(10)。由此,能实现连接控制器和外部连接端子的布线和/或连接控制器和存储芯片的布线的等长化和/或缩短化,并且能抑制产品翘曲。 |
申请公布号 |
CN103178036B |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201210313842.3 |
申请日期 |
2012.08.29 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
井本孝志;安藤善康;谷本亮;岩本正次;野田真史 |
分类号 |
H01L23/488(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
徐健;陈海红 |
主权项 |
一种半导体器件,具备:形成有外部连接端子的基板;控制器,其载置在所述基板的第一面上;第一间隔件,其载置在所述第一面上,配置在所述控制器的一侧;第二间隔件,其载置在所述第一面上,隔着所述控制器而载置在所述第一间隔件的相反侧;存储芯片,其跨所述第一间隔件和所述第二间隔件而载置在所述第一间隔件和所述第二间隔件之上;树脂模制部,其对由所述存储芯片、所述第一间隔件、所述第二间隔件和所述基板包围的空间以及所述存储芯片的周围进行密封;多个基板侧电极焊盘,其形成于所述基板的第一面;多个控制器侧电极焊盘,其形成于所述控制器;多个芯片侧电极焊盘,其形成于所述存储芯片;焊盘间布线层,其对形成于所述基板的所述基板侧电极焊盘彼此进行电连接;以及端子用布线层,其对形成于所述基板的所述基板侧电极焊盘和所述外部连接端子进行电连接,所述控制器侧电极焊盘与所述基板侧电极焊盘通过金属线连接,由此所述控制器与所述外部连接端子经由所述端子用布线层电连接,所述控制器侧电极焊盘与所述基板侧电极焊盘通过金属线连接,所述芯片侧电极焊盘与所述基板侧电极焊盘通过金属线连接,由此所述控制器与所述存储芯片经由所述焊盘间布线层电连接,从所述空间的开放侧观察到的所述空间的截面面积大于从所述空间的开放侧观察到的设置于所述存储芯片上的树脂模制部的截面面积。 |
地址 |
日本东京都 |