发明名称 |
一种低介电损耗CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>薄膜的制备方法 |
摘要 |
一种低介电损耗CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>薄膜的制备方法,属于电介质材料合成技术领域。包括以下步骤:1)按照钙、铜、钛摩尔比为1:3:4的比例,配制含钙铜钛的前驱液;2)基片放入管式炉中,升温至900℃保持10小时,随炉自然降至室温;3)采用旋涂法将含钙铜钛的前驱液涂布在基片上,烘干得到含钙铜钛的薄膜样品;4)将步骤3)中得到的薄膜样品放入高压炉中,调节高压炉中气体气氛,使高压炉中保持0.35~0.75Mpa的高纯氧,在900℃下对薄膜样品进行烧结处理,然后随炉降温得到CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>薄膜。采用本发明方法制备的薄膜质量高,表面均匀,介电损耗有大幅度下降。 |
申请公布号 |
CN103695872B |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201310716704.4 |
申请日期 |
2013.12.23 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
林媛;冯大宇;吉彦达;靳立彬 |
分类号 |
C23C18/12(2006.01)I;H01B3/10(2006.01)I |
主分类号 |
C23C18/12(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
李明光 |
主权项 |
一种CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)分别将含钙盐、铜盐、钛盐的混合液与水溶性高分子混合,得到含钙络合物的混合液、含铜络合物的混合液、含钛络合物的混合液,然后按照含钙络合物、含铜络合物、含钛络合物的摩尔比为1:3:4的比例,配制含钙铜钛的混合液,作为制备CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>薄膜的前驱液;(2)将基片放入管式炉中,升温至900℃保持10小时后,随炉自然降温至室温;(3)采用旋涂的方法将含钙铜钛的前驱液均匀涂布在步骤(2)处理后的基片上,并置于干燥箱中烘干,得到含钙铜钛的薄膜样品;(4)将步骤(3)中得到的含钙铜钛的薄膜样品放入高压炉中,调节高压炉中气体气氛,使高压炉中保持0.35~0.75Mpa压强范围的体积百分比为99.999%的高纯氧,在900℃下对薄膜样品进行烧结处理,烧结时间为10小时,然后随炉自然降温至室温,得到CaCu<sub>3</sub>Ti<sub>4</sub>O<sub>12</sub>薄膜。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |