优先电路

摘要

根据预充电使能信号ENABLE的控制，将NMOS晶体管(107)截止，在优先电路为非动作状态时，通过预充电用PMOS晶体管(106₀～106₃)将传送信号节点(P1～P3)以及输出端子HIT的电位预充电到H电位。由此，NMOS晶体管(107)导通，优先电路转移为动作状态，如果在输入信号中含有H信号，在HIT检测用PMOS晶体管(103₀～103₃)中将传送信号节点(P1～P3)以及输出端子HIT的电位增加到H电位时，抑制传送信号的劣化，能够防止由于噪声影响的误动作。由此，在优先电路中，没有将串行连接的晶体管所传送信号的电压电平劣化，可高速进行优先次序排位。

主权项

1. 一种优先电路，具备m个优先电路单元，其接收由m个二进制信号组成的输入信号，分别具有NMOS晶体管以及P沟道晶体管，其中m是2以上的整数；在接收所述m个二进制信号中的第i个输入信号的第i个所述优先电路单元，和比该第i个优先次序低1位的第(i+1)个优先电路单元，将各自具有的第i个及第(i+1)个NMOS晶体管之间串联连接在第i个传送信号节点上，其中i是1≤i≤m的整数；所述第i个输入信号，在为所定值的相应信号时，第i个优先电路单元所具有的第i个P沟道晶体管将第i个传送信号节点的电位设为所定的高电位，所述第i个输入信号为非相应信号时，第i个NMOS晶体管将第(i-1)个传送信号节点的电位传送到第i个传送信号节点，将这些传送信号节点的电位顺次传送到第m个传送信号节点，在输入至少一个所述相应信号时，将所定的检测信号输出到在第m个传送信号节点连接的输出端子上，同时在被输入的所述相应信号中，根据所定的优先规则仅从对应最优先次序输入位置的所述优先电路，输出与其它次序不同的所定信号，在表示最优先次序的相应信号地址的优先电路中，其特征在于，具备：优先电路控制机构，其被插入在第0个所述传送信号节点与所定的低电位之间，接收所定的控制信号，转换控制第0个所述传送信号节点与所述所定低电位之间的断开或者连接；预充电机构，其具备在所述第i个优先电路单元中，在所述优先电路为非动作状态时，接收所述的所定控制信号并将第i个传送信号节点的电位预充电到所定的高电位。