| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括：在半导体衬底的有源区上方形成的栅极介电膜，形成在栅极介电膜上方的栅电极，该栅电极由硅化膜和位于栅电极底部的多晶硅区形成。因此，根据本发明实施例，通过使用由形成局部硅化的栅极图样引起的非硅化多晶硅区，可以对功函数进行不同地控制，并可以将具有不同功函数的栅极图样应用到晶体管，以便可以减小栅电极和结的电阻，这可以最大化器件的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101459197A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200810184900.0 | 申请日期 | 2008.12.09 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 李斗成 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种装置，包括：半导体衬底，具有至少一个有源区；栅极介电膜，在所述半导体衬底的有源区上方；以及栅电极，在所述栅极介电膜上方，所述栅电极由多晶硅区和所述多晶硅区上方的硅化膜形成。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||