一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法，所述CoCrPt系合金溅射靶材包括B元素，B元素的含量为0～20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相，其中富B相均匀的分布在富Co相中，所述富Co相的平均晶粒尺寸在20～50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0～20μm；所述CoCrPt系合金溅射靶材的制备方法，包括：(1)真空熔炼；(2)热等静压；(3)热机械加工；(4)冷机械加工。使用本发明所述的CoCrPt系合金溅射靶材制备的磁记录介质，所述磁记录介质包括基底层，粘结层，软磁层，中间层和磁记录层，所述磁记录介质的矫顽力为3000～5000Oe，方形度为0.80～095。本发明化学成份均匀且偏离名义成分较小，解决了常规制备工艺中轧制开裂，成品率低，合金靶材化学成份偏离名义成份较多、有害杂质含量偏高等技术问题。

主权项

一种制备CoCrPt系合金溅射靶材的方法，包括：(1)真空熔炼：将物料按化学计量比进行配料，所述CoCrPt系合金溅射靶材含有B元素，B元素的含量为0～20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相，其中富B相均匀的分布在富Co相中，所述富Co相的平均晶粒尺寸在20～50μm，富B相的平均晶粒尺寸在0～20μm，真空熔炼为中频真空感应熔炼，所使用坩埚为氧化铝或氧化锆坩埚，浇铸温度为1500～1650℃，在浇铸前，熔体在坩埚中包括有至少1次的凝固过程；(2)热等静压处理：温度800～1100℃，4N高纯Ar气氛，压力为150～200MPa,保温时间为1～3h；(3)热机械加工：经过上述热等静压处理的锭坯进行热轧开坯，轧制温度为800～1100℃，进行横纵交替轧制，轧制的道次变形量不大于10％；(4)冷机械加工：经上述热机械加工的坯料需进行冷轧制和最终的机械加工成型，所述的冷轧制为纵向轧制，轧制的道次变形量不大于5％。