发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 본 발명은 안정된 전기 특성을 가지는 박막 트랜지스터를 가지는 전위 보유 기능이 높은 고체 촬상 소자를 제공한다. 산화물 반도체층을 이용하여 박막 트랜지스터의 오프 전류를 1×10A 이하로 하고, 이 박막 트랜지스터를 고체 촬상 소자의 리셋 트랜지스터 및 전송 트랜지스터의 양쪽에 이용함으로써 신호 전하 축적부의 전위가 일정하게 유지되고, 다이나믹 레인지를 향상시킬 수 있다. 또한, 주변 회로에 상보형 금속 산화물 반도체 소자가 제작 가능한 실리콘 반도체를 이용함으로써 고속 또한 저소비 전력의 반도체 장치를 제작할 수 있다.
申请公布号 KR101645680(B1) 申请公布日期 2016.08.04
申请号 KR20147028425 申请日期 2010.10.12
申请人 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 发明人 고야마 준;야마자키 순페이
分类号 H01L27/146;H04N5/374 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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