| 摘要 |
III-V族、II-VI族又はIV族主体の要素を、ＣＶＤ反応炉のプロセスチャンバ６内に配置された１又は複数の基板７上に堆積するための方法に関し、少なくとも１つの堆積ステップにおいて少なくとも炭素を含むガスソース材料が用いられ、１又は複数の基板上での層成長中、寄生コーティングもプロセスチャンバ６の壁面５，８上に堆積されており、１又は複数の基板７をプロセスチャンバ６から除去した後、洗浄プロセスにおいて、１又は複数の洗浄ガスを含むガスフローの導入とプロセスチャンバ６を洗浄温度に加熱することによって寄生コーティングが反応して揮発性物質となり、ガスフローと共にプロセスチャンバ６から運び出される。第１の洗浄ステップ後に残る煤状残留物をプロセスチャンバ６から除去するために本発明では洗浄ステップが、寄生コーティングが揮発性成分に分解される分解ステップを有し、かつ、炭素を含む残渣が壁面５，８に残る。その残渣はアンモニア洗浄ステップにおいてプロセスチャンバに導入されたアンモニアと反応して揮発性化合物を形成し、これがガスフローと共にプロセスチャンバから運び出される。【選択図】図２ |
