| 摘要 |
본 고안은, a. 기판에 무촉매층 구비 그 이후, b. 500℃ 이하의 온도에서 탄소-포함 가스 및 에칭 가스를 공급하고 유도결합플라즈마 화학기상증착(Inductively Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition; ICP-CVD)을 수행하되, c. 상기 탄소-포함 가스 공급에서 무촉매층의 에칭 가스를 같이 공급하여, 상기 무촉매층 상에서 탄화수소 라디칼(hydrocarbon radicals)의 흡착(adsorb), 확산(diffuse) 및 무촉매층의 표면 상에 핵으로 발생하게 되는 반 데르 발스 유형의 헤테로 에피 택셜 성장(heteroepitaxial growth) 타입으로, 촉매층을 구비하지 않은 상태로 무촉매층 상에 그래핀을 성장시키되, d. 상기 c 의 공정에서, 계속적인 유도결합플라즈마 화학기상증착(Inductively Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition; ICP-CVD)을 수행하되, 에칭 가스로 인하여, 무촉매층이 계속적으로 전부 제거되어, 무촉매층을 포함하지 않은 상태로 기판상에 그래핀을 성장시키는 것; 을 특징으로 하는 무촉매 저온 기판 성장 그래핀의 제조방법을 제공한다. 또한, 본 고안은 무촉매 저온 기판 성장 그래핀으로써, 상기 무촉매 저온 기판 성장 그래핀은, 상기 기판의 표면에 직접 접하고, 상기 무촉매 저온 기판 성장 그래핀의 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 무촉매 저온 기판 성장 그래핀의 해당 표면에 평행한 다른 어느 하나의 방향에 있어서의 결정립경보다 크고, 상기 무촉매 저온 기판 성장 그래핀의 상기 제1의 방향에 있어서의 결정립경은, 해당 그래핀의 해당 표면에 수직인 방향에 있어서의 결정립경보다 큰 것; 을 특징으로 하는 무촉매 저온 기판 성장 그래핀을 제공한다. 또한, 본 고안은 무촉매 저온 기판 성장 그래핀으로써, 해당 무촉매 저온 기판 성장 그래핀은, 상기 기판의 표면에 직접 접하고, 해당 무촉매 저온 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 가지며, 해당 무촉매 저온 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 가지며, 해당 무촉매 저온 기판 성장 그래핀은, 상기 결정립계에 둘러싸인 영역의 내부에 있어서 단결정인 것; 을 특징으로 하는 무촉매 저온 기판 성장 그래핀을 제공한다. 또한, 본 고안은 무촉매 저온 기판 성장 그래핀으로써, 해당 무촉매 저온 기판 성장 그래핀은, 상기 기판의 표면에 직접 접하고, 해당 무촉매 저온 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제1의 방향에 따른 결정립계를 복수 가지며, 해당 무촉매 저온 기판 성장 그래핀은, 상기 표면에 평행한 제2의 방향에 따른 결정립계를 복수 가지며, 해당 무촉매 저온 기판 성장 그래핀은, 상기 결정립계에 둘러싸인 영역의 내부 각각에 있어서 단결정인 것; 을 특징으로 하는 무촉매 저온 기판 성장 그래핀을 제공한다. 또한, 본 고안은 탄소-포함 가스 및 에칭 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 가스 공급부로부터 상기 탄소-포함 가스 및 에칭 가스를 공급 받아 분출하는 가스 분출부; 상기 가스 분출부로부터 분출된 탄소-포함 가스 및 에칭 가스와 접하도록 배치된 무촉매층을 구비하는 기판; 및 무촉매층을 구비하는 기판의 영역을 가열하도록 배치된 가열 장치; 및 고주파 전력을 인가함으로써 형성되는 유도자장에 의해 플라즈마를 형성하는 유도결합플라즈마(Inductively Coupled Plasma) 형성 장치; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 무촉매 저온 기판 성장 그래핀 제조 장치를 제공한다. |
