发明名称 Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitersubstraten
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitersubstraten, wobei die insbesondere unbeschichteten Halbleitersubstrate durch eine Beladungsschleuse (1) einer Bearbeitungsanordnung zugeführt werden, welche Beladungsschleuse (1) an eine Transferkammer (2) angrenzt, von welcher wiederum eine Vielzahl von Bearbeitungskammern (3, 4, 5) mit den zu bearbeitenden Halbleitersubstraten beladbar sind, wozu zunächst die Transferkammer (2) und die Bearbeitungskammer (3) evakuiert werden und daran anschließend eine Verbindungstür (7) zwischen Transferkammer (2) und Bearbeitungskammer (3) geöffnet wird. Als Verbesserung schlägt die Erfindung vor, dass mindestens einer der Bearbeitungskammern (4) ein Niedrigdruck- oder Atmosphärendruck-Prozess betrieben wird und vor dem Öffnen der dieser Bearbeitungskammer (49 zugeordneten Verbindungstür (8) die Transferkammer (2) mit einem Inertgas geflutet wird, wobei zwischen Transferkammer und Bearbeitungskammer eine vorbestimmte Druckdifferenz erhalten bleibt.
申请公布号 DE10159702(A1) 申请公布日期 2002.07.18
申请号 DE20011059702 申请日期 2001.12.05
申请人 AIXTRON AG 发明人 STRZYZEWSKI, PIOTR
分类号 C23C16/44;C23C16/54;H01L21/00;(IPC1-7):H01L21/68 主分类号 C23C16/44
代理机构 代理人
主权项
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