| 发明名称 | 用来测试隧道磁阻效应元件的方法和装置 | ||
| 摘要 | 一种测试TMR元件的方法，包括：初始测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第一电阻值；在从反基片侧到基片侧连续馈送通过所述隧道磁阻效应元件的电流达预定时间间隔之后，测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第二电阻值；和，通过相互比较所述第一电阻值和所述第二电阻值来评价所述隧道磁阻效应元件。 | ||
| 申请公布号 | CN100367355C | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN200510067701.8 | 申请日期 | 2005.04.22 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 猿木俊司;稻毛健治;蜂须贺望;清野浩 |
| 分类号 | G11B5/455(2006.01);G11B5/39(2006.01) | 主分类号 | G11B5/455(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王萍 |
| 主权项 | 1.一种测试隧道磁阻效应元件的方法，包括步骤：初始测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第一电阻值；在从反基片侧到基片侧连续馈送通过所述隧道磁阻效应元件的电流达预定时间间隔之后，测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第二电阻值；和通过相互比较所述第一电阻值和所述第二电阻值来评价所述隧道磁阻效应元件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||