半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，此方法是在基底上形成晶体管并在栅极导体层与源极/漏极区的表面上形成金属硅化物，然后，进行一表面处理步骤，以选择性在金属硅化物的表面形成一保护层。其后，以保护层为掩模，去除一部份的间隙壁，以缩减间隙壁的宽度。其后，再于基底上形成一应力层。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，包括：在基底上形成晶体管，该晶体管包括栅极结构与源极/漏极区，其中该栅极结构包括栅极导体层、栅介电层与间隙壁，该栅介电层介于该栅极导体层与该基底之间，该间隙壁位于该栅极导体层的侧壁；在该栅极导体层与该源极/漏极区的表面上形成金属硅化物层；进行表面处理步骤，以选择性地在该金属硅化物层上形成一保护层，该保护层的材料与该间隙壁的材料不同；以该保护层为掩模，移除部分该间隙壁，以缩减该间隙壁的宽度，使该间隙壁与该金属硅化物层之间具有空隙；以及在该基底上形成一应力层，覆盖该间隙壁与该保护层以及该空隙。