一种栅氧刻蚀方法和多栅极制作方法

摘要

本发明提出了一种栅氧刻蚀方法以及多栅极制作方法。该栅氧刻蚀方法通过控制BOE的过刻时间，使BOE的过刻时间小于主刻蚀时间的30％，并配合APM的浓度配比，能够在将栅氧刻蚀干净的情况下，减少对衬底表面的损伤。同时，将本发明的栅氧化物刻蚀方法运用到多栅极制作方法中时，能够减少颗粒物缺陷的产生，从而大大提高多栅极器件的质量。

主权项

一种栅氧刻蚀方法，该刻蚀方法用于去除光刻工艺中没有被光刻胶覆盖的栅氧化层，其特征在于：所述刻蚀方法为湿法刻蚀，包括步骤：主刻蚀，采用氟化氨和氟化氢的混合液为刻蚀液，对栅氧化层进行刻蚀，主刻蚀时间由栅氧化层的厚度而定；主过刻，采用和上述主刻蚀相同的刻蚀液进行刻蚀，主过刻时间小于主刻蚀时间的30％；第一辅刻蚀，采用硫酸和双氧水的混合液为刻蚀液，对上述主过刻之后的栅氧化层进行清洗，以去除栅氧化层上的光刻胶有机物；第二辅刻蚀，采用氢氧化氨、双氧水和水的混合液为刻蚀液，对上述第一辅刻蚀之后的栅氧化层进行清洗，以去除残余光刻胶和无机颗粒物，其中，所述氢氧化氨、双氧水和水的比例为1：2：10；所述氟化氨和氟化氢的体积比为50：1。