发明名称 用于制造电容性存储器元件的方法、存储器元件及其应用
摘要 本发明涉及一种用于制造电容性存储器元件(10)的方法,该电容性存储器元件(10)具有在多孔支承体(12)的一侧(16)上的层系统(18),该多孔支承体(12)被构建为导电支承体(14)或至少在所述一侧(16)上具有导电的表面层(26),其中该层系统(18)具有由介电钛酸盐层(20)和导电的层(22)构成的层序列。设计为,为了构建具有最小可设置的层厚度(D)的闭合钛酸盐层(20)将外部电场沿层序列的方向施加并且在施加该场时将其中具有钛酸盐颗粒的流体施加到支承体(12)上。此外,本发明还涉及一种相应的电容性存储器元件(10)和将电容性存储器元件(10)作为用于为汽车的电或混合驱动装置供给能量的电储能器的存储器元件的应用。
申请公布号 CN103189945B 申请公布日期 2016.06.29
申请号 CN201180054258.4 申请日期 2011.09.21
申请人 罗伯特·博世有限公司 发明人 B.瓦尔希
分类号 H01G4/12(2006.01)I;B60L11/00(2006.01)I 主分类号 H01G4/12(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 丁永凡;刘春元
主权项 一种用于制造电容性存储器元件(10)的方法,该电容性存储器元件(10)具有在多孔支承体(12)的一侧(16)上的层系统(18),该多孔支承体(12)被构建为导电支承体(14)或至少在所述一侧(16)上具有导电的表面层(26),其中该层系统(18)具有由介电钛酸盐层(20)和导电的层(22)构成的层序列,其特征在于,为了构建具有最小可设置的层厚度的闭合钛酸盐层(20)将外部电场沿层序列的方向施加并且在施加该外部电场时将其中具有钛酸盐颗粒的流体施加到支承体(12)上。
地址 德国斯图加特