| 发明名称 | 用于热解碳化硅片生长石墨烯的坩埚 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于热解碳化硅片生长石墨烯的坩埚，包括呈筒状的坩埚体；位于所述坩埚体上的第一坩埚盖，所述第一坩埚盖具有一个或多个第一通孔，所述第一通孔的孔径为0.01～3毫米，所述第一坩埚盖和所述坩埚体限定了一个用于容纳所述碳化硅片的容纳空间，所述容纳空间的高度为1～15毫米。在现有的工艺参数下采用本发明的坩埚能控制石墨烯的生长速率，从而制备高均匀性的石墨烯。 | ||
| 申请公布号 | CN105984865A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510071246.2 | 申请日期 | 2015.02.11 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 芦伟;郭丽伟;陈小龙 |
| 分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇;王博 |
| 主权项 | 一种用于热解碳化硅片生长石墨烯的坩埚，其特征在于，包括：呈筒状的坩埚体；位于所述坩埚体上的第一坩埚盖，所述第一坩埚盖具有一个或多个第一通孔，所述第一通孔的孔径为0.01～3毫米，所述第一坩埚盖和所述坩埚体限定了一个用于容纳所述碳化硅片的容纳空间，所述容纳空间的高度为1～15毫米。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||