发明名称 |
一种菱形包层保偏光纤及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种菱形包层保偏光纤及其制造方法,该方法包括以下步骤,用化学气相沉积法制造芯应合体棒,芯应合体棒包括芯层、应力层、外包层。对芯应合体棒进行机械加工,使其横截面为菱形。制作横截面为菱形的靶棒,将靶棒置于石英玻璃套管的内部,采用外喷工艺对石英玻璃套管进行沉积,沉积过程完成后,去掉靶棒,形成纯石英玻璃菱形内孔套管。将横截面为菱形的芯应合体棒放置在纯石英玻璃菱形内孔套管中,构成保偏光纤预制棒,将保偏光纤预制棒拉丝成菱形包层保偏光纤。本发明提供了一种工艺性能和产品质量好、制造精度高与成品率高、加工适应性强、且适于进行批量生产的保偏光纤制造方法。 |
申请公布号 |
CN105985014A |
申请公布日期 |
2016.10.05 |
申请号 |
CN201510091851.6 |
申请日期 |
2015.02.28 |
申请人 |
武汉长盈通光电技术有限公司 |
发明人 |
魏红波;陈翔;廉正刚;徐江河;皮亚斌 |
分类号 |
C03B37/018(2006.01)I;C03B37/027(2006.01)I;G02B6/036(2006.01)I;G02B6/024(2006.01)I |
主分类号 |
C03B37/018(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
胡建平 |
主权项 |
一种菱形包层保偏光纤制造方法,其特征在于,包括以下步骤,1)用化学气相沉积法制造芯应合体棒,芯应合体棒包括芯层、过渡层、应力层、外包层,其中芯层半径为0.1~4mm,掺杂元素为锗,相对折射率差delta为0.5%~1.5%;过渡层半径与芯层半径之比为1:1~3:1,过渡层组分为氟‑锗共掺,或纯硅层;应力层半径与芯层半径之比为1:1~6:1,掺杂元素为硼,相对折射率差delta为‑1.0%~‑0.1%;2)对芯应合体棒进行机械加工,使其横截面为菱形,机械加工过程去掉芯应合体棒的外包层及部分应力层;3)制作横截面为菱形的靶棒,将靶棒置于石英玻璃套管的内部,靶棒与石英玻璃套管同轴设置,采用外喷工艺对石英玻璃套管进行沉积,沉积过程完成后,去掉靶棒,形成纯石英玻璃菱形内孔套管,对纯石英玻璃菱形内孔套管进行外部整形提高其圆度;4)将横截面为菱形的芯应合体棒放置在纯石英玻璃菱形内孔套管中,构成保偏光纤预制棒,其中横截面为菱形的芯应合体棒的外表面与纯石英玻璃菱形内孔套管的内表面吻合;5)将保偏光纤预制棒拉锥,清洗,拉丝成菱形包层保偏光纤。 |
地址 |
430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新五路80号 |