| 摘要 |
본 발명은 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광 구조물을 적층하는 단계; 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 각각 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2 전극을 덮으며, 상기 제1 및 제2 전극을 각각 부분적으로 노출시키는 제1 및 제2 개구를 갖는 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 절연층 및 상기 제1 및 제2 개구를 통해 노출된 제1 및 제2 전극의 표면을 플라즈마 처리하여, 상기 절연층의 표면에 요철을 형성하고, 상기 제1 및 제2 전극의 표면에 산소 결핍층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다. |
