| 发明名称 | 半导体磁性存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体磁性存储器装置，其具有形成在存储器单元上方的磁性穿隧结(103到107)。所述存储器单元具有由浮动栅极(120)围绕的控制栅极(101、102)。所述浮动栅极通过钉扎层(103)耦合到所述磁性穿隧结，所述钉扎层(103)维持所述结的下部磁性层(106)的磁性定向。穿过耦合到所述控制栅极的选定字线(101)的电流产生第一磁场。穿过单元选择线(110)的电流产生与所述第一磁场正交的第二磁场。这改变了所述结的上部磁性层(107)的磁性定向以降低其电阻，因此允许编程/擦除线(109)上的写入/擦除电压对所述浮动栅极进行编程/擦除。 | ||
| 申请公布号 | CN101461064A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200780020723.6 | 申请日期 | 2007.06.06 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 保劳格·班纳吉;特里·加弗龙;弗尔南多·冈萨雷斯 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1. 一种半导体磁性存储器单元，其包括：存储器单元，其具有形成在控制栅极周围以用于产生第一磁场的浮动栅极；以及磁性穿隧结，其耦合到所述存储器单元，用于允许响应于所述第一磁场和第二磁场而编程和擦除所述浮动栅极。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||