| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本申请涉及用于制造半导体器件的方法。制造半导体器件同时保持其互连之间的短路裕度。其方法包括以下步骤：当使用多层抗蚀剂在层间介电质中制作互连沟槽时，使用至少包括CF<sub>4</sub>气体、C<sub>2</sub>H<sub>2</sub>F<sub>4</sub>气体和O<sub>2</sub>气体作为其组成的混合气体来执行干法蚀刻以形成该多层抗蚀剂。 | ||
| 申请公布号 | CN105990126A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201610159264.0 | 申请日期 | 2016.03.18 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 堀越孝太郎 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 李辉;董典红 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)在半导体晶圆的主表面上方形成被加工膜；(b)在所述被加工膜上方形成第一抗蚀剂膜，以覆盖所述被加工膜；(c)在所述第一抗蚀剂膜上方形成第一绝缘膜以覆盖所述第一抗蚀剂膜；(d)在所述第一绝缘膜上方形成第二抗蚀剂膜以覆盖所述第一绝缘膜；(e)通过光刻将预定图案转印至所述第二抗蚀剂膜；以及(f)使用至少包括CF<sub>4</sub>气体、C<sub>3</sub>H<sub>2</sub>F<sub>4</sub>气体和O<sub>2</sub>气体作为其组成的混合气体，在所述步骤(e)之后向所述第一绝缘膜施加第一干法蚀刻处理。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||