发明名称 METHOD FOR PRODUCING A DRAM STRUCTURE WITH BURIED BIT LINES OR TRENCH CAPACITORS
摘要
申请公布号 EP1166350(A1) 申请公布日期 2002.01.02
申请号 EP20000918692 申请日期 2000.03.10
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 WILLER, JOSEF;CAPPELLANI, ANNALISA;SELL, BERNHARD
分类号 H01L21/285;H01L21/768;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824 主分类号 H01L21/285
代理机构 代理人
主权项
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