| 发明名称 | 半导体基板中增加储存电容之电容器排列 | ||
| 摘要 | 与在DRAM内存胞元的知电容器相较，本电容器排列不需占据在半导体基板(2)的额外面积，即具增加电容。根据本发明电容器(8、9)的排列系基于于该基板(2)的二或更多个别排列个别电容器以形成一在另一内或一在另一上的二或更多电容器。在此情况下，外部电容器(8)围绕至少一或许多内部电容器(9)或是相当部分的上方电容器位于下方电容器上。根据本发明电容器排列的制造方法被叙述。 | ||
| 申请公布号 | CN1531096A | 申请公布日期 | 2004.09.22 |
| 申请号 | CN200410008254.4 | 申请日期 | 2004.02.28 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | M·古特斯彻;H·塞德尔 |
| 分类号 | H01L27/108;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 1.一种在基板(2)内或上的至少二电容器(14、15)之排列，其中该电容器(14、15)被排列为一在另一内，一外部电容器(14)至少部分围绕至少一内部电容器(15)。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||