| 发明名称 | 晶体生长原料处理系统 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种晶体生长原料处理系统，它包括由炉壳、保温砖炉壁、置于炉壁内的发热体、炉膛和炉门组成的加热炉，与加热炉电连接的温控装置，置于炉膛内的带密封盖的化料坩埚，以及坩埚支撑架，化料坩埚底部下部设置的与化料坩埚一体的下料管，下料管上的开关和开关旋杆，以及坩埚支撑架上的上部与化料坩埚下料管能够自然紧密配合的生长坩埚。该系统主要应用于晶体生长原料处理。 | ||
| 申请公布号 | CN200961153Y | 申请公布日期 | 2007.10.17 |
| 申请号 | CN200620045840.0 | 申请日期 | 2006.09.15 |
| 申请人 | 嘉兴学院;嘉兴市晶英光电子技术有限公司 | 发明人 | 万尤宝;刘俊星 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01);C30B29/32(2006.01) | 主分类号 | C30B11/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海开祺知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李兰英 |
| 主权项 | 1.一种晶体生长原料处理系统，包括由炉壳、保温砖炉壁、置于炉壁内的发热体、炉膛和炉门组成的加热炉，与加热炉电连接的温控装置，置于炉膛内的带密封盖的化料坩埚，以及坩埚支撑架，其特征在于还包括化料坩埚底部下部设置的与化料坩埚一体的下料管，下料管上的开关和开关旋杆，以及坩埚支撑架上的上部与化料坩埚下料管能够自然紧密配合的生长坩埚。 | ||
| 地址 | 314001浙江省嘉兴市越秀南路56号 | ||