| 发明名称 | 栅极及晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成栅介电层和多晶硅层，所述半导体衬底分为器件密集区和器件非密集区；刻蚀多晶硅层和栅介电层至露出半导体衬底，形成栅极；刻蚀栅极，使器件密集区的栅极关键尺寸与器件非密集区的栅极关键尺寸一致，达到目标尺寸。本发明还提供一种晶体管的制作方法。使最终器件密集区的栅极关键尺寸比器件非密集区的栅极关键尺寸一致，达到目标尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN101459134A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710094463.9 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 陈海华;黄怡;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1. 一种栅极的制作方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成栅介电层和多晶硅层，所述半导体衬底分为器件密集区和器件非密集区；刻蚀多晶硅层和栅介电层至露出半导体衬底，形成栅极；刻蚀栅极，使器件密集区的栅极关键尺寸与器件非密集区的栅极关键尺寸一致，达到目标尺寸。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||