| 发明名称 | 光电池元件及显示面板 | ||
| 摘要 | 一种光电池元件及显示面板，该光电池元件包括一第一电极、一N型掺杂富硅介电层、一P型掺杂富硅介电层以及一第二电极。N型掺杂富硅介电层位于第一电极上，其中N型掺杂富硅介电层中掺杂有一N型掺杂剂。P型掺杂富硅介电层位于N型掺杂富硅介电层上，其中P型掺杂富硅介电层中掺杂有一P型掺杂剂。第二电极位于P型掺杂富硅介电层上。本发明的光电池元件具有较佳的光电转换效率，以及较佳的结构稳定性。另外，光电池元件的膜层厚度要求可较薄，因此，其较容易整合于显示面板的工艺中。如此一来，当光电池元件因感光所产生的电能便可转为显示面板使用，进而达到节能省电的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN101459202A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200910002059.3 | 申请日期 | 2009.01.12 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 卓恩宗;彭佳添;陈昱丞;林弘章;温亦谦;孙伟珉;洪集茂;陈俊雄 |
| 分类号 | H01L31/068(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I;H01L27/142(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/068(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 姜 燕;陈 晨 |
| 主权项 | 1. 一种光电池元件，包括：一第一电极；一N型掺杂富硅介电层，位于该第一电极上，其中该N型掺杂富硅介电层中掺杂有一N型掺杂剂；一P型掺杂富硅介电层，位于该N型掺杂富硅介电层上，其中该P型掺杂富硅介电层中掺杂有一P型掺杂剂；以及一第二电极，位于该P型掺杂富硅介电层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||