发明名称 侧照式发光二极管结构及其制造方法
摘要 本发明提供一种侧照式发光二极管结构及其制造方法。结构包括一基板、一电极结构、一芯片、一胶体层和一荧光层。基板具有相对的一上表面和一下表面以及连接上表面和下表面的一侧表面。电极结构至少包括:两个第一导电部相隔设置在基板的上表面、两个第二导电部相隔设置在基板的下表面、和两个导电孔垂直贯穿基板且相隔设置,各导电孔分别连接第一导电部和第二导电部,且导电孔暴露于基板的侧表面。芯片具有相对的一第一表面与一第二表面,且芯片的第二表面设置在两第一导电部上,本实施例的设计可使单颗结构的产品良率和电性表现,以及与外部连接时的结构上的强度和稳定度皆能显著得到改善。
申请公布号 CN105990507A 申请公布日期 2016.10.05
申请号 CN201610156784.6 申请日期 2016.03.18
申请人 新世纪光电股份有限公司 发明人 洪政暐;林育锋
分类号 H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/62(2010.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 马雯雯;臧建明
主权项 一种发光二极管,其特征在于,包括:一基板,具有相对的一上表面和一下表面以及连接所述上表面和所述下表面的一侧表面;一电极结构,至少包括:两个第一导电部相隔设置在所述基板的所述上表面;两个第二导电部相隔设置在所述基板的所述下表面;和两个导电孔贯穿所述基板且相隔设置,各所述导电孔分别连接所述第一导电部和所述第二导电部,且所述导电孔是暴露在所述基板的所述侧表面;一芯片,具有相对的一第一表面与一第二表面,且所述芯片的所述第二表面设置在两所述第一导电部上;一胶体层,覆盖所述基板的所述上表面和包覆所述芯片,并暴露出所述芯片的所述第一表面;和一荧光层,位于所述芯片的所述第一表面上。
地址 中国台湾台南市善化区大利三路5号