分離されたキャパシタを有する非対称高密度不揮発性メモリ

摘要

不揮発性メモリ（「ＮＶＭ」）ビットセルは、キャパシタ、非対称にドープされたトランジスタ及びトンネリング装置を有している。キャパシタ、トランジスタ及びトンネリング装置は各々、異なる活性領域及び金属コンタクトに電気的に接続されている。これら３つの装置は、３つの活性領域を横断するフローティングゲートによって接続されている。トンネリング装置は、真性領域に形成されており、トンネリングの誘発に用いられる電圧のダミナミックレンジを広くしている。ＦＮトンネリング装置は、装置の消去に用いられ、より迅速なページ消去を可能にし、引いては機能の速やかな試験及び検証を可能にする。非対称トランジスタは、キャパシタと連携し、フローティングゲートの論理状態のプログラム及び読み出しの双方に用いられる。キャパシタ及びフローティングゲートは、容量的に互いに結合されており、読み出し及び書き込み動作を実施する別の選択装置が必要なくなる。