| 发明名称 | 制造多晶硅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造多晶硅的方法，包括：a)在至少一个U形支撑体上通过CVD法沉积多晶硅，所述U形支撑体通过直接通电加热至使多晶硅在所述支撑体上沉积的温度，导致形成至少一个U形对的多晶硅棒，所述支撑体的各个自由端连接至石墨电极上，并以这种方式供应电力；b)从反应器中卸载所述至少一对多晶硅棒；c)从所述至少一对多晶硅棒的至少两个多晶硅棒的电极端移除石墨残余物；d)粉碎所述至少两个多晶硅棒，以得到棒片或得到块体；其包含，通过至少一个机械脉冲从所述至少两个多晶硅棒中每个的电极端敲掉石墨残余物。 | ||
| 申请公布号 | CN106163986A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201580005684.7 | 申请日期 | 2015.01.16 |
| 申请人 | 瓦克化学股份公司 | 发明人 | S·费贝尔;A·贝格曼;R·佩赫;S·里斯 |
| 分类号 | C01B33/035(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/035(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 张海涛;于辉 |
| 主权项 | 一种制造多晶硅的方法，包括：a)在至少一个U形支撑体上通过CVD法沉积多晶硅，所述U形支撑体通过直接通电加热至使多晶硅在所述支撑体上沉积的温度，导致形成至少一个U形对的多晶硅棒，所述支撑体的各个自由端连接至石墨电极上，并以这种方式供应电力；b)从反应器中卸载所述至少一对多晶硅棒；c)从所述至少一对多晶硅棒的至少两个多晶硅棒的电极端移除石墨残余物；d)粉碎所述至少两个多晶硅棒，以得到棒片或得到块体；其特征在于，通过至少一个机械脉冲从所述至少两个多晶硅棒中的每个的电极端敲掉石墨残余物。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||